Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины

Директор - Беляєв Александр Евгеньевич

Институт физики полупроводников НАН Украины был основан в 1960 г.

Основными научными направлениями деятельности Института, утвержденными Отделение физики и астрономии НАН Украины, являются:
- Физика процессов взаимодействия электромагнитного излучения с веществом;
- Физика низьковимирних систем, микро-и наноэлектроника;
- Оптоэлектроника и солнечная энергетика;
- Полупроводниковая материаловедение и сенсорные системы.
В последние годы приоритетное развитие в научной деятельности Института получили фундаментальные и прикладные исследования и разработки, в частности:
- Теоретические и экспериментальные исследования процессов самоорганизации и физики полупроводниковых наноструктур;
работы с физических, физико-химических и технологических проблем создания элементной базы оптоэлектроники, устройств для преобразования информации, источников излучения нового типа и т.п.;
- Исследования в области оптики твердого тела, в частности, поиск новых оптических явлений, нелинейных оптических материалов, оптических методов их неразрушающего качественного и количественного контроля, квантовой электроники и физики твердотельных лазеров;
- Теоретические и экспериментальные исследования электронных и электронно-атомных процессов на поверхности, в объеме, на границах раздела в сложных и слоистых полупроводниковых структурах;
исследования в области физики флуктуацийних явлений в полупроводниках и полупроводниковых приборах, флуктуацийна диагностика новейших субмикронных технологий;
- Исследование процессов трансформации структуры и электрофизических свойств полупроводниковых материалов и структур под влиянием активных внешних действий: лазерного излучения, ультразвука, плазменной обработки, давления и т.п.;
- Работы с физических и физико-химических проблем полупроводникового материаловедения, направленные на создание опто-, фото-микроэлектронных устройств различного назначения;
- Теоретические и экспериментальные исследования электронного транспорта в полупроводниках и полупроводниковых структурах, элек-фононнои взаимодействия в твердых телах;
- Работы по созданию новых методов и средств неразрушающего диагностики полупроводниковых материалов, приборов опто-, микро-и наноэлектроники, в т.ч. с помощью рентгеновских, рентгеноакустичних методов и т.д.